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DMN3112SSS
1
0.32
0.28
0.24
0.20
V GS = 4.5V
T A = 150°C
T A = 125°C
0.1
V GS = 4.5V
V GS = 10V
0.16
0.12
0.08
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.04
0.01
0
4 8 12 16
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
20
0
0
2 4 6 8
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
10
1.6
0.14
1.4
1.2
1.0
V GS = 10V
I D = 10A
V GS = 4.5V
I D = 5A
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
V GS = 4.5V
I D = 5A
V GS = 10V
I D = 10A
0.8
0.02
0.6
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
2.4
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
10
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
2.0
1.6
I D = 250μA
I D = 1mA
8
T A = 25°C
6
1.2
4
0.8
0.4
2
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
DMN3112SSS
Document number: DS31582 Rev. 2 - 2
3 of 5
www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
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